高壓電源

由于高壓的波動(dòng)會引起放大倍數(shù)波動(dòng)高一個(gè)數(shù)量級，因此對電壓穩(wěn)定性的要求比放大倍數(shù)穩(wěn)定性要求高一個(gè)數(shù)量級。特別作能譜測量，譜峰位置的穩(wěn)定性十分重要（一個(gè)高壓穩(wěn)定性為0.2‰的高壓電源,取道址為256道時(shí),峰飄小于半道）。

NaI單晶譜儀γ譜的生成公寓人防生物戰(zhàn)劑報(bào)警器G-N32E天道

當(dāng)γ射線的能量全部耗盡在NaI閃爍體內(nèi)時(shí),探測器輸出的脈沖幅度與入射的γ光子能量成正比,由此可根據(jù)脈沖幅度譜來測定γ光子的能譜。

1、一個(gè)單核素公寓人防生物戰(zhàn)劑報(bào)警器G-N32E天道

Cs的譜的生成137Cs的662kev能譜包括三個(gè)峰和一個(gè)平臺（典型）137

A—全能峰，662kev直接反映γ射線能量，由光電效應(yīng)及多次效應(yīng)的貢獻(xiàn)；

B—康普頓坪，為散射光子逃出NaI后留下的一個(gè)能量連續(xù)的電子譜，該坪有

個(gè)邊界，應(yīng)在470kev左右；

C—反散射峰，它是由于在NaI中未經(jīng)吸收穿出的γ光子，在閃爍體后面物質(zhì)上

發(fā)生康普頓效應(yīng)，反散射光子回NaI中，通過光電效應(yīng)被記錄，由前述，它的能量總在

200kev左右。

D—Ba的χ射線峰，由于Cs發(fā)生β衰變后，Ba的激發(fā)態(tài)放出內(nèi)轉(zhuǎn)換電子，在137137137K層造成空位，外層電子躍遷而成。實(shí)際譜圖中，C峰和D峰可能較弱而并不明顯。